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Introduction générale
I- Présentation des matériaux étudiés
I-1 Introduction
I-2 Les siliciures de cobalt et de nickel
I-3 Diagrammes de phases
I-4 Configuration électronique des matériaux étudiés
I-5 Structure cristallographique
I-5-a Réseau direct
I-5-b Réseau réciproque
I-6 Les directions et les points de haute symétrie
Références
II- Notions théoriques
II-1 Introduction
II-2 Equation de Schrödinger
II-3 Approximation de Born-Oppenheimer (adiabatique)
II-4 Approximation de Hartree-Fock
II-5 La théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT)
II-6 Les équations de Kohn et Sham
II-7 L’approximation de la densité locale (LDA)
II-8 L’approximation du gradient généralisé (GGA)
II-9 La résolution des équations de Kohn et Sham
Références
III- La méthode des ondes planes augmentées et linéarisées (LAPW)
III-1 Introduction
III-2 La méthode des ondes planes augmentées (APW)
III-3 La méthode linéaire des ondes planes augmentées (LAPW)
III-3-1 Les fonctions de base de La méthode (LAPW)
III-3-2 Représentation de la densité de charge et du potentiel
III-3-3 Définition des stars
III-3-4 Les harmoniques du réseau
III-3-5 La résolution de l’équation de Poisson
III-3-6 Synthèse de L’hamiltonienne et de la matrice de chevauchement
III-4 Le code Wien 97
Référence
IV- Résultats et discussions
IV-1 Introduction
IV-1 Détails de calcul
IV-2 Propriétés structurales
IV-4 Propriétés électroniques
IV-4.1 Densité d’états (DOS)
IV.4.2 Densité de charge
IV-5 Propriétés élastiques
IV-5.1 Constantes élastiques
IV-5.2 Calcul de la température de Debye
Références 
Conclusion générale