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Table des matières

Introduction
Chapitre I. Attaque en faute par injection laser
Préambule
I.1. La sécurité de l’information
I.1.1. Les algorithmes cryptographiques
I.1.2. Les attaques cryptographiques matérielles
I.1.3. Les attaques en fautes
I.2. L’injection de faute par illumination laser
I.2.1. Le laser et ses caractéristiques
I.2.2. L’absorption de l’énergie par le silicium
I.2.3. De l’effet photoélectrique à la faute induite
I.2.4. La faute et l’erreur
I.2.5. Les évènements singuliers
I.2.6. Les modèles de faute
I.3. Modélisation et simulation
I.3.1. Simulateur tLIFTING
I.3.2. Modélisation électrique d’un transistor 90nm sous illumination laser
Conclusion
Chapitre II. Pratique de l’injection laser
Préambule
II.1. Description des méthodes d’injection laser sur un circuit microélectronique
II.2. Présentation de la préparation du circuit en vue d’une injection laser
II.3. Comparaison pratique de la méthode d’injection laser
II.3.1. Présentation de l’algorithme ciblé
II.3.2. Obtention de l’information pour l’attaque de Piret et Quisquater (DFA)
II.3.3. Description de la cible d’injection
II.3.4. Comparaison des deux méthodes d’injections en termes de fautes exploitables
II.3.5. Mesures de la taille du faisceau illuminant le silicium par injection en face avant
Conclusion
Chapitre III. Modélisation électrique de transistors CMOS 28nm sous illumination laser
Préambule
III.1. Description des technologies CMOS bulk et FDSOI 28nm
III.1.1. Structures des transistors bulk et FDSOI
III.1.2. Effets de l’illumination laser des transistors en technologies CMOS bulk et FDSOI
III.2. Mise à jour du modèle pour le transistor 28nm bulk
II.2.1. Présentation du circuit expérimental
II.2.2. Mise à jour du modèle
III.3. Modèle électrique d’injection pour la technologie FDSOI
III.3.1. Etablissement du modèle électrique pour le transistor NMOS FDSOI
III.3.2. Modélisation du transistor PMOS 28nm FDSOI
III.3.3. Nouveau modèle d’injection de faute
III.4. Résultats expérimentaux de l’illumination laser de transistors CMOS bulk et FDSOI
III.4.1. Comparaison entre les transistors NMOS bulk et FDSOI
III.4.2. Comparaison entre les transistors PMOS bulk et FDSOI
Conclusion