Évaluation et pilotage des activités de recherche dans la R&D centrale de STMicroelectronics

Évaluation et pilotage des activités de recherche dans la R&D centrale de STMicroelectronics RESULTS: UNCOVERING A NEW FORM OF AC IN RADICAL INNOVATION SITUATIONS  In presenting the findings we first provide brief descriptions of the cases. We follow this by...

 Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés

 Nanocristaux pour les mémoires flash : multicouches, métalliques et organisés Les mémoires à nanocristaux Avantages apportés par les nanocristaux en silicium • Meilleure fiabilité vis-à-vis de la qualité de l’oxyde tunnel En cas de défaut dans l’oxyde tunnel créant un...

Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI

Déformations introduites lors de la fabrication de transistors FDSOI Étude du SOI en bord de STI Dans cette partie, nous nous intéressons à l’autre bord de la STI, gravée dans le SOI (voir figure 3.1). Nous étudions le champ de...

ANALYSE DU CADRE JURIDIQUE APPLICABLE A LA GESTION DES DECHETS D’EQUIPEMENTS ELECTRIQUES ET ELECTRONIQUES

Enjeux écotoxicologiques, socio-économiques et environnementaux des Déchets d’Equipements Electriques et Electroniques (DEEE) ETUDES ECOTOXICOLOGIQUES DES DEEE  Les déchets constituent souvent des mélanges hétérogènes dont la composition varie selon l’époque et le lieu de production. Le périmètre de collecte permet de...

Mesure de contraintes en microélectronique : état de l’art et application de l’holographie électronique aux structures FDSOI 

Télécharger le fichier original (Mémoire de fin d'études) Le MOSFET FDSOI 14 nm Passage au (UTBB) SOI Le silicium sur isolant (SOI pour Silicon-On-Insulator) est un substrat de silicium com-portant une couche d’oxyde SiO2 enterrée, appelée BOX (pour Buried OXide),...

Protection des circuits intégrés vis-à-vis des décharges électrostatiques (ESD)

Télécharger le fichier original (Mémoire de fin d'études) Le modèle du composant chargé CDM Le modèle du composant chargé ou Charged Device Model (CDM) reproduit la décharge d’un composant ou d’un circuit intégré assemblé qui s’est chargé. Un exemple typique...

Etude et conception d’un réseau WiMax

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Développement et intégration de MEMS RF dans les architectures d’amplificateur faible bruit reconfigurables

Développement et intégration de MEMS RF dans les architectures d’amplificateur faible bruit reconfigurables Les circuits reconfigurables  Chaîne de réception RF et intérêts de la reconfigurabilité  L’engouement actuel pour les communications sans fil grand public comme la téléphonie mobile avec le...

Conception de circuits MMIC BiMOS SiGe appliqués à la synthèse de fréquence fractionnaire

Conception de circuits MMIC BiMOS SiGe appliqués à la synthèse de fréquence fractionnaire Les différents oscillateurs micro-ondes  Les oscillateurs à fréquence fixe  Il existe plusieurs types d'oscillateurs selon les contraintes des applications envisagées. Les oscillateurs fixes sont généralement utilisés comme...

Contribution à l’intégration 3D de composants passifs pour l’électronique de puissance

Contribution à l’intégration 3D de composants passifs pour l’électronique de puissance The application target: decoupling of DC-to-DC power converters  All power electronics converter topologies are based on the association of switching cells using power switches from 2 to 2n (two-levels...