Mémoire Online: Amélioration du rendement de la ligne de production WATT

Ligne de production WATTSommaire: Amélioration du rendement de la ligne de production WATT

Résumé
Abstract
Liste des figures
Liste des tableaux
Liste des abréviations
Introduction générale
CHAPITRE I : PRESENTATION DE STM
Introduction
I. STMicroelectronics: Historique
II. Le groupe STMicroelectronics
1. Caractéristiques des produits semi-conducteurs
2. Segments de produits et marchés servis
3. Un leadership mondial
4. Secteurs/ Pôles d’activité de l’entreprise STMicroelectronics
5. Les grandes étapes de fabrication des semi-conducteurs
III. STMicroelectronics Bouskoura
1. Organisation du site STMicroelectronics Bouskoura
2. Produits Fabriqués par STM Bouskoura
3. Processus de fabrication général de l’usine bouskoura be
IV. La ligne WATT
1. Gestion de  la ligne WATT
2. Service d’accueil
3. Description de la zone test & finishing de la ligne WATT
Conclusion
CHAPITRE II : CONTEXTE DU PROJET
Introduction
I. Problématique
II. Cahier de charges
III.   Planning du projet
Conclusion
CHAPITRE III : ETUDE PRELIMINAIRE
Introduction
I. Généralités sur les amplificateurs audio
1. Fonctionnement
2. Les classes d’amplificateurs
II. Généralités sur le test des semi-conducteurs
1. Description du test électrique
2. Équipements indispensables à l’opération
a) Le testeur
b) Handler
c) Jig
3. Outils de supervision
Conclusion
CHAPITRE VI : ETAIT DES LIEUX
Introduction
III. Identification de la problématique du sujet
1. L’outil de qualité  QQOQCP
2. Méthode QQOQCP
II. Définition du périmètre d’action
1. METHODE ABC – Loi de Pareto
a) Le diagramme de Pareto outil de la qualité
b) Construction du diagramme de Pareto
2. Analyse Pareto
a) Analyse Pareto des défauts
b) Analyse PARETO des pièces
III. Recherche des Causes probables du PROBLÈME
1) Méthode d’ ISHIKAWA
a) Diagramme d’ ISHIKAWA, qu’est–ce que c’est?
b) Les règles d’or
c) Déroulement du diagramme d’ ISHIKAWA
2) Brainstorming
3) Diagramme D’ISHIKAWA
Conclusion
CHAPITRE V : PLAN D’ACTION
Introduction
I. Démarche  DMAIC
II. L’amplificateur audio TDA7377
1. Define
a) La Méthode QQOQCP :
b) Description de l’amplificateur audio TDA7377
c) Définition des défauts paramétriques les plus fréquents
2. Mesure
a) Etude du défaut paramétrique «dB Gv OUTL @ 20V »
b) Distribution du défaut « dB Gv OUTL @20V »
3. Analyse
a) Recherche des causes possibles du défaut « dB Gv OUTL @20V »
b) Identification du défaut « dB Gv OUTL @ 20V »
4. Improve
a) Elaboration d’un plan d’action
b) Application du plan d’action
5. Control
a) Evolution du rendement après l’implantation des solutions
b) Etude financière
III. L’amplificateur audio STA540
1) Define
a) La Méthode QQOQCP
b) Description de l’amplificateur audio STA 540
c) Définition des défauts paramétriques les plus défaillants
2) MESURE
d) Introduction
e) Généralités sur la résistance thermique
d) Etude du défaut paramétrique «mV RTH OUTx »
e) Distribution du défaut « mV RTH OUTx »
3) Analyse
a) Recherche des causes possibles du défaut « mV RTH OUTx » de la race STA540
b) Identification du défaut paramétrique « mV RTH OUTx »
c) Processus du die attach
4) Improve
a) Elaboration d’un plan d’action
b) Application du plan d’action
5. Control
a) Evolution du rendement après l’implantation des solutions
b) Actions préventives
Conclusion générale
Annexes
Annexe 1 : Cahier de charge la race L022
Annexe 2 : Cahier de charge  de la race L690
Annexe 3 : Schéma du Jig de la race L022
Références bibliographiques

LIRE AUSSI :  Mise au point d'une technique d'élaboration des couches minces métalliques par voie électrochimique

Extrait du mémoire amélioration du rendement de la ligne de production WATT

CHAPITRE I : PRESENTATION DE STM
 INTRODUCTION :
Dans ce chapitre, nous présenterons l’environnement où s’est déroulé notre projet. Pour cela, nous commencerons par une présentation de l’usine STMicroelectronics dans le monde puis du site de BOUSKOURA, suivie d’un bref aperçu sur le processus de fabrication. Ensuite, nous décrirons la ligne de production WATT qui est notre département d’accueil et plus précisément la zone test & finishing.

Ligne de production WATT
I. STMICROELECTRONICS : HISTORIQUE
1952 : Créée par la compagnie générale de télégraphie sans fil, la société de fabrication radioélectrique marocaine est devenue par la suite filiale de THOMSON CSF .
1974 : la fabrication de semi-conducteurs est lancée et elle n’a pas cessé de progresser pour devenir la seule activité de l’usine à la fin des années 80.
juin 1987 :Une fusion de THOMSON Semi-conducteurs(France) et SGS-MICROELECTRONICA (Italie) a eu lieu.
Janvier 1989 : La SFRM a changé de nom pour devenir SGS-THOMSON Microelectronics S.A au  Maroc. Une nouvelle usine à BOUSKOURA fut inaugurée par sa majesté le roi, SGS-THOMSON
S.A Maroc est devenu l’un des sites les plus importants du groupe.
Mai 1998 : le nom de la société a changé pour devenir STMicroelectronics.
2000 : L’augmentation de la demande a poussé l’organisme à créer un troisième site de production
Bouskoura 2000. Actuellement, Les trois usines se sont fusionnées et ont pris place à Bouskoura 2000.
II. LE GROUPE STMICROELECTRONICS
STMicroelectronics est le cinquième fabricant mondial de semi-conducteurs avec un chiffre d’affaires net de 8,51 milliards de dollars en 2009. Avec l’un des plus vastes portefeuilles de produits de l’industrie, ST fournit des semi-conducteurs innovants à des clients dans tous les secteurs d’application de l’électronique en s’appuyant sur son large éventail de technologies, son expertise en conception et l’association de son portefeuille de propriété intellectuelle et de partenariats stratégiques ainsi que sa force industrielle.

Ligne de production WATT
1. CARACTERISTIQUES DES PRODUITS SEMI-CONDUCTEURS
Les ordinateurs, les téléphones portables, les télévisions, les radios, les voitures sont autant de  produits utilisant des circuits intégrés.[1] C’est grâce à leurs petites tailles (quelques mm 2 à quelques cm 2), à leurs importantes capacités fonctionnelles et à leurs tenues aux contraintes extérieures que ces circuits sont largement utilisés. Les fonctionnalités des puces sont basées sur l’intégration de millions de transistors et autres composants élémentaires sur de très faibles surfaces. Les dimensions de ces transistors sont de l’ordre du dixième de micromètre. Les produits employant ces puces peuvent disposer de performances élevées en terme de: vitesses de fonctionnement (GHz), consommations faibles, nombre et type de composants intégrés: mémoires de plusieurs giga-octets, décodeurs, émetteurs, récepteurs, etc.
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