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- May 23rd, 2024
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Les diélectriques des condensateurs de mémoire DRAM La mémoire dynamique à accès aléatoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) a pour fonction de stocker des charges électriques. Chaque cellule est formée par un condensateur relié à un transistor qui joue le...
Le procédé de lithogravure Deux différentes approches sont possibles pour fabriquer des nanostructures : « Bottom-up » : les atomes ou les molécules sont assemblés directement par voie ascendante. « Top-down » : de la matière est retirée par voie...
Films minces d’oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique Contexte technologique : la miniaturisation La course à la miniaturisation du transistor a induit différents axes de recherche de solutions technologiques. Ces choix technologiques ont été guidés par la nécessité de...
Télécharger le fichier original (Mémoire de fin d'études) Choix des plaquettes support pour réaliser les dépôts Les futurs transistors devant être réalisés sur des substrat SOI (Silicon On Insulator), dont le coût est très élevé, l’étude de l’isolant de grille...
UTILISATION DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES EN IMAGERIE ET EN MICROSCOPIE OPTIQUE DIODES ELECTROLUMINESCENTES C’est en 1907 que H. J. Round rapporta la première émission de lumière par un semi-conducteur [2]. Sans explication évidente, cette découverte fut rapidement oubliée. Il a fallu...
Télécharger le fichier original (Mémoire de fin d'études) INVESTIGATION DES PROPRIETES ELASTIQUES DES COUCHES MINCES Al2O3 DEPOSEES SUR SiC VIA LA MICROSCOPIE ACOUSTIQUE La microscopie acoustique s’est développée comme technique, non destructive et non contaminante [1], de caractérisation des propriétés...
Etude des propriétés électroniques, résistivité et pouvoir thermoélectrique d’alliages amorphes Le transport électronique dans les solides Pendant plus d’un siècle les chercheurs se sont intéressés au transport des électrons [1] (Livre Ashcroft et Kittel) dans les solides. La première étude...
Elaboration et caractérisation de couches minces de ZnO pour des applications optoélectroniques Propriétés optiques Dépendance entre le gap et la taille des grains de ZnO En raison du nombre limité d’atomes et du confinement quantique, les bandes d’énergie d’un cristal...
Télécharger le fichier original (Mémoire de fin d'études) Le MOSFET FDSOI 14 nm Passage au (UTBB) SOI Le silicium sur isolant (SOI pour Silicon-On-Insulator) est un substrat de silicium com-portant une couche d’oxyde SiO2 enterrée, appelée BOX (pour Buried OXide),...
Etude de la dynamique des liquides par microscopie à sonde locale Le microscope à force atomique Dans ce première chapitre introductif, les principes généraux de l'AFM sont présentés ainsi que ces principaux modes de fonctionnement. Quelques exemples d'applications viendront illustrer...