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- May 6th, 2024
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Antennes avec des Caractéristiques de Rejection de Bandes pour des Applications Ultra Large Bande Caractéristiques générales des antennes L’antenne est un élément indispensable de n’importe quel syst`eme de transmission sans fils. Elle est définie comme un transducteur permettant de rayonner...
Structure de bandes et transport électronique dans les nanotubes de carbone sous champ magnétique intense Phonons et spectroscopie Raman des nanotubes de carbone Modes de vibration des nanotubes Les nanotubes vont présenter une richesse très particulière avec des bandes communes...
Modélisation atomique de transistors MOSFETs double-grille à canal de conduction confiné Les progrès de la technologie métal-oxyde-semiconducteur ( MOS) conduisent à des tran- sistors de taille nanométrique. A ce niveau de miniaturisation, les effets quantiques ne sont plus négligeables et...
Les nouvelles méthodes de croissance cristalline (Cpitæcie par jets moléculaires ou épitaxie en phase vapeur des organométalliques) ont permis de réaliser des empilements de différents composés semi-conducteurs à l'échelle de la monocouche atomique et de réaliser des hétérostructures ou nanostructures...
Sommaire: Interaction entre cordes vocales et bandes ventriculaires en phonation (exploration in-vivo, modélisation physique, validation in-vitro) INTRODUCTION I Première partie : Quels bagages ? 1 « Que sais-je ? » Les bandes ventriculaires 1.1 L’appareil vocal humain 1.1.1 Anatomie du...
Films minces d’oxydes à grande permittivité pour la nanoélectronique Contexte technologique : la miniaturisation La course à la miniaturisation du transistor a induit différents axes de recherche de solutions technologiques. Ces choix technologiques ont été guidés par la nécessité de...
Optimisation, fabrication et caractérisation d’un capteur de gaz à base d’hétérostructure AlGaN/GaN HEMT Modélisation et optimisation de l’hétérostructure AlGaN/GaN La fabrication d’un composant électronique performant est précédée obligatoirement par une étape de modélisation et de simulation pour l’optimisation de tous...
Principe de la protection Les varistances permettent leurs utilisations en tant qu’élément de protection des circuits électriques contre les surtensions momentanées. Le domaine d’application est très large. Il s’étend de la protection des circuits et appareils électroniques de consommation (électroménager)...
La limitation des performances des cellules photovoltaïques à base de Cu(In,Ga)Se2 Introduction On assiste ces derniers années à l’apparition sur le marché de modules photovoltaïques basés sur d’autre matériaux que le silicium : le diséléniure de cuivre et d’indium noté...
Caractérisation des nanocristaux de CdTeSe/ZnSe et d’un réseau de piliers de silicium Introduction Durant les 30 dernières années, parmi les axes de recherche qui ont retenu l’attention de la communauté des physiciens, chimistres et même biologistes se trouvent les nanocristaux...